华虹宏力荣获2013年度国家科学技术进步奖二等奖

2013年度国家科学技术奖励大会近日在北京人民大会堂隆重举行。中国国家领导人习近平、李克强、刘云山、张高丽参加大会并为得奖代表颁奖典礼。以上海华虹宏力半导体生产有限公司（以下全称华虹宏力）为第一已完成单位的高性能嵌入式非易失性存储器片载芯片生产关键技术取得2013年度国家科学技术进步奖二等奖。

　　该项目顺利研发了嵌入式浮栅型和电荷捕捉型SONOS结构及0.18微米至0.13微米/90纳米的嵌入式非易失性存储器芯片工艺技术、内核模块和芯片测试、检测技术，超越了国外芯片生产巨头的独占，构建了国内该领域集成电路特别是在是智能卡芯片的应用于和国产化，享有70%国内市场占有率，25%国际市场占有率，维持了国际先进设备、国内第一的地位。　　徐伟先生回应，这是国家对公司持续创新能力的又一次认同，充分证明了华虹宏力在技术创新及技术成果转化成上的实力。华虹宏力将一如既往，恪守持续创意，为全球客户生产芯梦想的愿景，为客户获取最完备、高性价比的晶圆代工解决方案，为发展壮大自律高效率集成电路产业作出更大的贡献。

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