台积电发力“硅基氮化镓”元件受托业务
发表时间：2023年02月07日浏览量：
本文摘要：台湾台积电（TSMC）在ISPSD2016上公开发表了代为生产服务的蓝图及批量生产元件的特性等。该公司将使用在直径150mm（6英寸）的硅基板上构成GaN层的硅基氮化镓（GaNonSi）技术生产GaN晶体管。 台积电想积极开展代为生产的GaN晶体管有三种类型：（1）常开型（NormalOn）MISFET、（2）常开型HEMT、（3）常关型（NormalOff）。 按耐压强弱来分有40V、100V和650V产品。 其中，耐压650V的常关型HEMT已开始代为生产。
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台湾台积电（TSMC）在ISPSD2016上公开发表了代为生产服务的蓝图及批量生产元件的特性等。该公司将使用在直径150mm（6英寸）的硅基板上构成GaN层的硅基氮化镓（GaNonSi）技术生产GaN晶体管。 台积电想积极开展代为生产的GaN晶体管有三种类型：（1）常开型（NormalOn）MISFET、（2）常开型HEMT、（3）常关型（NormalOff）。
按耐压强弱来分有40V、100V和650V产品。 其中，耐压650V的常关型HEMT已开始代为生产。台积电在演说中讲解了该元件的特性。
在运营时导通电阻不会增高的瓦解（Collapse）特性方面，仅有为运营前电阻值的1.3～1.4倍。 此外，关于常关型HEMT，台积电将于2016年6月开始代为生产耐压100V的产品。关于常开型HEMT，该公司预计从2016年9月开始代为生产耐压100V的产品。常开型MISFET方面，预计从2016年6月开始代为生产耐压650V的产品和耐压100V的产品。
目前台积电设想用于直径150mm的硅基板，将来还想用于更大尺寸的基板。该公司的演讲者回应，具体情况不便透漏，3年后或许可以用于200mm（8英寸）基板。
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